SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

Deskrizzjoni qasira:

Manifatturi: Vishay
Kategorija tal-Prodott: MOSFET
Skeda tad-Data: SI9435BDY-T1-E3
Deskrizzjoni:MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Status RoHS: RoHS Konformi


Dettall tal-Prodott

Karatteristiċi

Tags tal-Prodott

♠ Deskrizzjoni tal-Prodott

Attribut tal-Prodott Valur tal-Attribut
Manifattur: Vishay
Kategorija tal-Prodott: MOSFET
RoHS: Dettalji
Teknoloġija: Si
Stil tal-Immuntar: SMD/SMT
Pakkett/Każ: SOIC-8
Polarità tat-transistor: P-Kanal
Numru ta' Kanali: 1 Kanal
Vds - Vultaġġ tat-Tqassim tas-Sors tad-Drain: 30 V
Id - Kurrent Kontinwu tad-Drain: 5.7 A
Rds On - Reżistenza għall-Ixxotta-Sors: 42 mOhms
Vgs - Vultaġġ tal-Bieb-Sors: - 10 V, + 10 V
Vgs th - Vultaġġ ta' Limitu tal-Gate-Source: 1 V
Qg - Ħlas tal-Bieb: 24 nC
Temperatura minima operattiva: - 55 C
Temperatura Operattiva Massima: + 150 Ċ
Pd - Dissipazzjoni tal-Enerġija: 2.5 W
Modalità tal-Kanal: Titjib
Isem kummerċjali: TrenchFET
Ippakkjar: Rukkell
Ippakkjar: Aqta Tape
Ippakkjar: MouseReel
Ditta: Semikondutturi Vishay
Konfigurazzjoni: Uniku
Ħin tal-ħarifa: 30 ns
Transkonduttanza 'l quddiem - Min: 13 S
Tip ta' Prodott: MOSFET
Ħin ta' Tlugħ: 42 ns
Serje: SI9
Kwantità tal-Pakkett tal-Fabbrika: 2500
Sottokategorija: MOSFETs
Tip ta' transistor: 1 P-Kanal
Ħin tipiku ta' Dewmien għat-Tifi: 30 ns
Ħin tipiku ta' Dewmien tax-Xegħlu: 14 ns
Parti # Alias: SI9435BDY-E3
Piż tal-Unità: 750 mg

  • Preċedenti:
  • Li jmiss:

  • • Mingħajr aloġenu Skont Definizzjoni IEC 61249-2-21

    • TrenchFET® Power MOSFET

    • Konformi mad-Direttiva RoHS 2002/95/KE

    Prodotti Relatati