SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAR
♠ Deskrizzjoni tal-Prodott
| Attribut tal-Prodott | Valur tal-Attribut |
| Manifattur: | Vishay |
| Kategorija tal-Prodott: | MOSFET |
| RoHS: | Dettalji |
| Teknoloġija: | Si |
| Stil tal-Immuntar: | SMD/SMT |
| Pakkett/Każ: | SC-89-6 |
| Polarità tat-transistor: | N-Kanal, P-Kanal |
| Numru ta' Kanali: | 2 Kanal |
| Vds - Vultaġġ tat-Tqassim tas-Sors tad-Drain: | 60 V |
| Id - Kurrent Kontinwu tad-Drain: | 500 mA |
| Rds On - Reżistenza għall-Ixxotta-Sors: | 1.4 Ohms, 4 Ohms |
| Vgs - Vultaġġ tal-Bieb-Sors: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Vultaġġ ta' Limitu tal-Gate-Source: | 1 V |
| Qg - Ħlas tal-Bieb: | 750 pC, 1.7 nC |
| Temperatura minima operattiva: | - 55 C |
| Temperatura Operattiva Massima: | + 150 Ċ |
| Pd - Dissipazzjoni tal-Enerġija: | 280 mW |
| Modalità tal-Kanal: | Titjib |
| Isem kummerċjali: | TrenchFET |
| Ippakkjar: | Rukkell |
| Ippakkjar: | Aqta Tape |
| Ippakkjar: | MouseReel |
| Ditta: | Semikondutturi Vishay |
| Konfigurazzjoni: | Doppju |
| Transkonduttanza 'l quddiem - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Għoli: | 0.6 mm |
| Tul: | 1.66 mm |
| Tip ta' Prodott: | MOSFET |
| Serje: | SI1 |
| Kwantità tal-Pakkett tal-Fabbrika: | 3000 |
| Sottokategorija: | MOSFETs |
| Tip ta' transistor: | 1 N-Kanal, 1 P-Kanal |
| Ħin tipiku ta' Dewmien għat-Tifi: | 20 ns, 35 ns |
| Ħin tipiku ta' Dewmien tax-Xegħlu: | 15 ns, 20 ns |
| Wisa': | 1.2 mm |
| Parti # Alias: | SI1029X-GE3 |
| Piż tal-Unità: | 32 mg |
• Mingħajr aloġenu Skont Definizzjoni IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFETs
• Footprint Żgħir Ħafna
• Qlib tal-Ġnub Għoli
• Baxxa On-Reżistenza:
N-Kanal, 1.40 Ω
P-Channel, 4 Ω
• Limitu Baxx: ± 2 V (tip.)
• Veloċità ta' Swiċċjar Mgħaġġla: 15 ns (tip.)
• Gate-Source ESD Protetti: 2000 V
• Konformi mad-Direttiva RoHS 2002/95/KE
• Ibdel Transistor Diġitali, Livell-Shifter
• Sistemi Mħaddma minn Batteriji
• Ċirkwiti tal-Konvertitur tal-Provvista tal-Enerġija
