VNS1NV04DPTR-E Sewwieqa tal-Bieb OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Deskrizzjoni tal-Prodott
| Attribut tal-Prodott | Valur tal-Attribut |
| Manifattur: | STMicroelectronics |
| Kategorija tal-Prodott: | Sewwieqa tal-Bieb |
| Prodott: | Sewwieqa tal-Bieb MOSFET |
| Tip: | Naħa Baxxa |
| Stil ta' Immuntar: | SMD/SMT |
| Pakkett / Kaxxa: | SOIC-8 |
| Numru ta' Sewwieqa: | 2 Sewwieq |
| Numru ta' Riżultati: | 2 Ħruġ |
| Kurrent tal-Ħruġ: | 1.7 A |
| Vultaġġ tal-Provvista - Massimu: | 24 V |
| Ħin tat-Tlugħ: | 500 ns |
| Ħin tal-Ħarifa: | 600 ns |
| Temperatura Minima tat-Tħaddim: | - 40°C |
| Temperatura Massima tat-Tħaddim: | + 150°C |
| Serje: | VNS1NV04DP-E |
| Kwalifika: | AEC-Q100 |
| Ippakkjar: | Rukkell |
| Ippakkjar: | Tejp Aqta’ |
| Ippakkjar: | Rukkell tal-Ġurdien |
| Marka: | STMicroelectronics |
| Sensittiv għall-Umdità: | Iva |
| Kurrent tal-Provvista Operattiva: | 150 uA |
| Tip ta' Prodott: | Sewwieqa tal-Bieb |
| Kwantità tal-Pakkett tal-Fabbrika: | 2500 |
| Sottokategorija: | PMIC - ICs tal-Ġestjoni tal-Enerġija |
| Teknoloġija: | Si |
| Piż tal-Unità: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II MOSFET tal-Enerġija kompletament awtoprotett
Il-VNS1NV04DP-E huwa apparat iffurmat minn żewġ ċipep monolitiċi OMNIFET II miżmuma f'pakkett standard SO-8. L-OMNIFET II huma ddisinjati bit-teknoloġija STMicroelectronics VIPower™ M0-3: huma maħsuba għas-sostituzzjoni ta' Power MOSFETs standard minn applikazzjonijiet DC sa 50KHz. Għeluq termali integrat, limitazzjoni lineari tal-kurrent u morsa ta' vultaġġ żejjed jipproteġu ċ-ċippa f'ambjenti ħorox.
Ir-rispons dwar il-ħsara jista' jiġi skopert billi jiġi mmonitorjat il-vultaġġ fil-pin tad-dħul.
• Limitazzjoni tal-kurrent lineari
• Għeluq termali
• Protezzjoni minn short circuit
• Morsa integrata
• Kurrent baxx miġbud mill-pin tad-dħul
• Feedback dijanjostiku permezz tal-pin tad-dħul
• Protezzjoni tal-ESD
• Aċċess dirett għall-bieb tal-power mosfet (sewqan analogu)
• Kompatibbli mal-MOSFET tal-enerġija standard
• F'konformità mad-direttiva Ewropea 2002/95/KE
